SJ/T 11402-2009 (Англоязычная версия) Технические характеристики полупроводникового лазерного чипа, используемого в оптоволоконной связи

сфера применения: В настоящей спецификации указаны термины и определения, классификация, технические требования и требования к надежности, правила проверки, методы измерения и испытаний, упаковка, транспортировка и хранение полупроводниковых лазерных чипов для волоконно-оптической связи. Настоящая спецификация применяется к закупкам, производству и качеству чипов лазерных диодов Фабри-Перо (FP-LD) и лазерных диодов с распределенной обратной связью (DFB-LD) в системах волоконно-оптической связи со скоростями передачи от 155 Мбит/с до 2,5 Гбит/с. контроль.

SJ/T 11402-2009 Ссылочный документ

GB/T 15651-1995 Полупроводниковые приборы. Дискретные устройства и интегральные схемы. Часть 5: Оптоэлектронные устройства
GB/T 21194-2007 Общие требования к обеспечению надежности оптоэлектронных устройств, используемых в телекоммуникационном оборудовании
GJB 548A-1996 Методы и процедуры испытаний микроэлектронных устройств
YD/T 701-1993 Метод испытаний сборки полупроводникового лазерного диода

2009 SJ/T 11402-2009 Технические характеристики полупроводникового лазерного чипа, используемого в оптоволоконной связи