ASTM F76-08 Стандартные методы измерения удельного сопротивления, коэффициента Холла и определения холловской подвижности в монокристаллических полупроводниках
Чтобы выбрать подходящий материал для производства полупроводниковых устройств, полезно знать свойства материала, такие как удельное сопротивление, коэффициент Холла и подвижность Холла. При определенных условиях, как указано в Приложении, можно вывести другие полезные величины для спецификации материалов, включая плотность носителей заряда и дрейфовую подвижность. 1.1 Настоящие методы испытаний охватывают две процедуры измерения удельного сопротивления и коэффициента Холла образцов монокристаллических полупроводников. Эти методы испытаний наиболее существенно различаются по требованиям к испытательным образцам. 1.1.1 Метод испытаний А, ван дер Пау (1) Для этого метода испытаний требуется односоединенный испытуемый образец (без каких-либо изолированных отверстий), однородный по толщине, но произвольной формы. Контакты должны быть достаточно малыми и располагаться на периферии образца. Это измерение легче всего интерпретировать для изотропного полупроводника, в проводимости которого преобладает один тип носителя. 1.1.2 Метод испытаний B, параллелепипед или мост 8212. Для этого метода испытаний требуется образец однородной толщины и заданной формы. Требования к контакту указаны как для геометрии параллелепипеда, так и для геометрии моста. Такая геометрия испытательных образцов желательна для анизотропных полупроводников, для которых измеряемые параметры зависят от направления тока. Метод испытания также легче всего интерпретировать, когда в проводимости преобладает один тип носителя. 1.2 Данные методы испытаний не предусматривают процедуры придания формы, очистки или контакта образцов; однако приведена процедура проверки качества контакта. Примечание 18212; Методика F 418 охватывает подготовку образцов арсенид-фосфида галлия. 1.3 Метод практики F 418 не обеспечивает интерпретацию результатов с точки зрения основных свойств полупроводника (например, подвижности и плотности основных и неосновных носителей). Некоторые общие рекомендации, применимые к определенным полупроводникам и температурным диапазонам, представлены в Приложении. Однако по большей части интерпретация остается за пользователем. 1.4 Межлабораторные испытания данных методов испытаний (раздел 19) проводились только в ограниченном диапазоне удельных сопротивлений и для полупроводников, германия, кремния и арсенида галлия. Однако этот метод применим и к другим полупроводникам при условии, что известны подходящие процедуры подготовки образцов и контактирования. Диапазон удельного сопротивления, в котором применим метод, ограничен геометрией испытуемого образца и чувствительностью приборов. 1.5 Значения, указанные в допустимых метрических единицах, следует считать стандартными. Значения, указанные в скобках, предназначены только для информации. (См. также 3.1.4.) 1.6 Настоящий стандарт не претендует на решение всех проблем безопасности, если таковые имеются, связанных с его использованием. Пользователь настоящего стандарта несет ответственность за установление соответствующих мер безопасности и охраны труда и определение применимости нормативных ограничений перед использованием.
ASTM F76-08 История
2016ASTM F76-08(2016)e1 Стандартные методы измерения удельного сопротивления, коэффициента Холла и определения холловской подвижности в монокристаллических полупроводниках
2008ASTM F76-08(2016) Стандартные методы измерения удельного сопротивления, коэффициента Холла и определения холловской подвижности в монокристаллических полупроводниках
2008ASTM F76-08 Стандартные методы измерения удельного сопротивления, коэффициента Холла и определения холловской подвижности в монокристаллических полупроводниках
1986ASTM F76-86(2002) Стандартные методы измерения удельного сопротивления, коэффициента Холла и определения холловской подвижности в монокристаллических полупроводниках
1986ASTM F76-86(1996)e1 Стандартные методы измерения удельного сопротивления, коэффициента Холла и определения холловской подвижности в монокристаллических полупроводниках