1.1 Настоящий метод испытаний представляет собой стандартную процедуру неразрушающего радиографического контроля полупроводниковых приборов, электронных компонентов и материалов, используемых для изготовления этих изделий. Этот метод испытаний охватывает радиографическое тестирование этих изделий на предмет возможных дефектов, таких как посторонние материалы внутри герметичного корпуса, неправильные внутренние соединения, пустоты в материалах, используемых для монтажа элементов, или в уплотнительном стекле, или физические повреждения. 1.2 Уровень качества и критерии приемки испытуемых образцов должны быть указаны в рабочем чертеже, заказе на поставку или договоре. 1.3 Настоящий стандарт не претендует на решение всех проблем безопасности, если таковые имеются, связанных с его использованием. Пользователь настоящего стандарта несет ответственность за установление соответствующих мер безопасности и охраны труда и определение применимости нормативных ограничений перед использованием.
ASTM E1161-95 История
2021ASTM E1161-21 Стандартная практика радиографического исследования полупроводников и электронных компонентов
2009ASTM E1161-09(2014) Стандартная практика радиологического исследования полупроводников и электронных компонентов
2009ASTM E1161-09 Стандартная практика радиологического исследования полупроводников и электронных компонентов
2003ASTM E1161-03 Стандартный метод испытаний радиологического исследования полупроводников и электронных компонентов
1995ASTM E1161-95 Стандартный метод испытаний радиологического исследования полупроводников и электронных компонентов