1.1 Настоящий метод испытаний охватывает измерение тока утечки стока МОП-транзистора (примечание 1). Примечание 1-MOS — это аббревиатура металлооксидного полупроводника; FET — это аббревиатура от «полевой транзистор». 1.2 Этот метод испытаний применим ко всем МОП-транзисторам в режиме улучшения и в режиме истощения. Этот метод испытаний определяет положительное напряжение и ток, правила, специально применимые к n-канальным МОП-транзисторам. Замена отрицательного напряжения и отрицательного тока делает этот метод непосредственно применимым к p-канальным МОП-транзисторам. 1.3 Метод испытания постоянным током применим для диапазона напряжений стока более 0 В, но меньше напряжения пробоя стока. 1.4 Настоящий стандарт не претендует на решение всех проблем безопасности, если таковые имеются, связанных с его использованием. Пользователь настоящего стандарта несет ответственность за установление соответствующих мер безопасности и охраны труда и определение применимости нормативных ограничений перед использованием.
ASTM F616M-96 История
1996ASTM F616M-96(2003) Стандартный метод измерения тока утечки стока МОП-транзистора (метрический)
1996ASTM F616M-96 Стандартный метод измерения тока утечки стока МОП-транзистора (метрический)