SJ 50033/176-2007
Полупроводниковые дискретные устройства Подробная спецификация кремниевого импульсного силового СВЧ-транзистора типа 3DA523 (Англоязычная версия)

Стандартный №

SJ 50033/176-2007

язык

Китайский, Доступно на английском

Дата публикации

2008

Разместил

Professional Standard - Electron

Последняя версия

SJ 50033/176-2007

сфера применения

В данной спецификации указаны подробные требования к кремниевому силовому СВЧ-импульсному транзистору 3DA523 (далее именуемому «устройство»). В соответствии с положениями пункта 1.3 GJB 33A-1997, предусмотренные уровни обеспечения качества представляют собой общий военный уровень, специальный военный уровень и сверхспециальный военный уровень, обозначаемые буквами JP, JT и JCT соответственно.

SJ 50033/176-2007 Ссылочный документ

• GB/T 4587-1994 Полупроводниковые дискретные устройства и интегральные схемы. Часть 7: Биполярные транзисторы
• GB/T 7581 Габаритные размеры полупроводниковых дискретных устройств
• GJB 128A-1997 Методы испытаний полупроводниковых дискретных устройств
• GJB 33A-1997 Общие спецификации полупроводниковых дискретных устройств

SJ 50033/176-2007 История

• 2008 SJ 50033/176-2007 Полупроводниковые дискретные устройства Подробная спецификация кремниевого импульсного силового СВЧ-транзистора типа 3DA523