В данной спецификации указаны подробные требования к кремниевым импульсным силовым СВЧ-транзисторам 3DA521 (далее — устройства), обозначаемым буквами JP, JT и JCT.
SJ 50033/174-2007 Ссылочный документ
GB/T 4587-1994 Полупроводниковые дискретные устройства и интегральные схемы. Часть 7: Биполярные транзисторы
GB/T 7581 Габаритные размеры полупроводниковых дискретных устройств
GJB 128A-1997 Методы испытаний полупроводниковых дискретных устройств