IEC 60749-18:2002
Приборы полупроводниковые. Механические и климатические методы испытаний. Часть 18. Ионизирующее излучение (суммарная доза)
- Стандартный №
- IEC 60749-18:2002
- Дата публикации
- 2002
- Разместил
- International Electrotechnical Commission (IEC)
- состояние
- быть заменен
- IEC 60749-18:2019 RLV
- Последняя версия
- IEC 60749-18:2019 RLV
- заменять
- IEC 47/1657/FDIS:2002
- сфера применения
- В этой части IEC 60749 представлена процедура испытаний для определения требований к испытаниям корпусных полупроводниковых интегральных схем и дискретных полупроводниковых устройств на воздействие ионизирующего излучения (общая доза) от источника гамма-излучения кобальта-60 (Co). Этот стандарт предусматривает испытание на ускоренный отжиг для оценки воздействия ионизирующего излучения с низкой мощностью дозы на устройства. Этот тест на отжиг важен для случаев низкой мощности дозы или некоторых других применений, в которых устройства могут проявлять значительные эффекты, зависящие от времени. Настоящий стандарт касается только стационарного облучения и не применим к облучению импульсного типа. Он предназначен для применения в военной и космической сфере. Этот стандарт может привести к серьезному ухудшению электрических свойств облученных устройств, и поэтому его следует рассматривать как разрушающее испытание.
IEC 60749-18:2002 История
- 0000 IEC 60749-18:2019 RLV
- 2002 IEC 60749-18:2002 Приборы полупроводниковые. Механические и климатические методы испытаний. Часть 18. Ионизирующее излучение (суммарная доза)
