Настоящий стандарт определяет метод измерения времени жизни импульсной обратной вязкости (далее называемого «время жизни массы» или τB) неосновных носителей носителей в монокристалле кремния с использованием метода фотокондуктивного затухания с использованием цепи постоянного тока. Монокристалл, подлежащий измерению, должен иметь однородный состав и удельное сопротивление 1 Ом·см или более.
JIS H 0604:1995 История
1995JIS H 0604:1995 Измерение времени жизни неосновных носителей заряда в монокристалле кремния методом фотопроводящего распада