T/IAWBS 007-2018
Метод определения толщины гомоэпитаксиальных слоев карбида кремния 4H методом отражения инфракрасного излучения (Англоязычная версия)

Стандартный №

T/IAWBS 007-2018

язык

Китайский, Доступно на английском

Дата публикации

2018

Разместил

Group Standards of the People's Republic of China

Последняя версия

T/IAWBS 007-2018

сфера применения

Настоящий стандарт определяет гомоэпитаксиальный слой (концентрация легирования 5×1014см-3-5×1016см) на подложке из сильнолегированного карбида кремния типа 4H-N (концентрация легирования N-типа >5×1018см-3)-3). Метод измерения толщины с помощью инфракрасного отражения. Настоящий стандарт распространяется на эпитаксиальные слои карбида кремния толщиной 2–100 микрон. Метод, указанный в этом стандарте, заключается в том, что подложка из карбида кремния 4H и эпитаксиальный слой имеют разные показатели преломления из-за разных концентраций легирующих примесей, поэтому в спектре отражения образца появляются непрерывные интерференционные полосы, отражающие информацию о толщине эпитаксиального слоя. Когда разность оптического пути между световым лучом, отраженным от поверхности эпитаксиального слоя, и световым лучом, отраженным от границы раздела подложки, составляет целое число, кратное половине длины волны, в спектре отражения можно наблюдать максимальное и минимальное значения. По положению крайнего пика интерференционной полосы в спектре отражения, оптической постоянной образца и углу падения можно рассчитать соответствующую толщину эпитаксиального слоя. Принцип определения толщины эпитаксиального слоя 4HSiC показан на рисунке 2: Падающий свет падает на точку A, отражается от эпитаксиальной поверхности AC, преломляется на подложке и эпитаксиальной границе раздела B и излучается из C ; и можно получить разность фаз δ между отраженным светом в точке D.

T/IAWBS 007-2018 История

• 2018 T/IAWBS 007-2018 Метод определения толщины гомоэпитаксиальных слоев карбида кремния 4H методом отражения инфракрасного излучения