BS IEC 63275-1:2022
Полупроводниковые приборы. Метод испытания надежности дискретных металлооксидных полупроводниковых полевых транзисторов из карбида кремния. Метод испытания на нестабильность температуры смещения
- Стандартный №
- BS IEC 63275-1:2022
- Дата публикации
- 2022
- Разместил
- British Standards Institution (BSI)
- Последняя версия
- BS IEC 63275-1:2022
- сфера применения
- 1 Область применения В этой части стандарта IEC 63275 представлен метод испытаний для оценки сдвига порогового напряжения затвора силовых полевых транзисторов металл-оксид-полупроводник (MOSFET) из карбида кремния (SiC) с использованием показаний комнатной температуры после приложения непрерывного положительного напряжения затвор-исток при Повышенная температура.Предлагаемый метод допускает определенное восстановление, допуская большую задержку между нагрузкой и измерением (до 10 часов).
BS IEC 63275-1:2022 История
- 2022 BS IEC 63275-1:2022 Полупроводниковые приборы. Метод испытания надежности дискретных металлооксидных полупроводниковых полевых транзисторов из карбида кремния. Метод испытания на нестабильность температуры смещения
