IEC 62880-1:2017
Полупроводниковые приборы. Стандарт испытаний на миграцию под напряжением. Часть 1. Стандарт испытаний на миграцию меди под напряжением.

Стандартный №

IEC 62880-1:2017

Дата публикации

2017

Разместил

International Electrotechnical Commission (IEC)

Последняя версия

IEC 62880-1:2017

сфера применения

В этой части IEC 62880 описан метод старения при постоянной температуре (изотермический) для тестирования тестовых структур металлизации меди (Cu) на пластинах микроэлектроники на чувствительность к образованию пустот, вызванных напряжением (SIV). Этот метод следует применять в первую очередь на уровне производства пластин во время разработки технологии, а результаты следует использовать для прогнозирования срока службы и анализа отказов. При некоторых условиях метод можно применять для тестирования на уровне пакета. Этот метод не предназначен для проверки партий продукции на предмет отгрузки из-за длительного времени испытаний. Системы двойной металлизации дамасской медью обычно имеют футеровки из тантала (Ta) или нитрида тантала (TaN) на дне и по бокам канавок, выгравированные на диэлектрических слоях. Следовательно, для конструкций, в которых одиночное переходное отверстие контактирует с широкой линией под ним, пустота под переходным отверстием может вызвать размыкание цепи почти одновременно с любым процентным сдвигом сопротивления, который удовлетворяет критерию отказа.

IEC 62880-1:2017 История

• 2017 IEC 62880-1:2017 Полупроводниковые приборы. Стандарт испытаний на миграцию под напряжением. Часть 1. Стандарт испытаний на миграцию меди под напряжением.