DB61/T 1250-2019
Общие спецификации для полупроводниковых дискретных устройств из материала Sic (карбид кремния) (Англоязычная версия)
Стартовая страница
DB61/T 1250-2019
Стандартный №
DB61/T 1250-2019
язык
Китайский,
Доступно на английском
Дата публикации
2019
Разместил
Shaanxi Provincial Standard of the People's Republic of China
Последняя версия
DB61/T 1250-2019
сфера применения
Настоящий стандарт распространяется на проектирование, производство и поставку полупроводниковых дискретных устройств на основе SiC.
DB61/T 1250-2019 История
2019
DB61/T 1250-2019
Общие спецификации для полупроводниковых дискретных устройств из материала Sic (карбид кремния)
© 2023. Все права защищены.