DB61/T 1250-2019 (Англоязычная версия) Общие спецификации для полупроводниковых дискретных устройств из материала Sic (карбид кремния) - Стандарты и спецификации PDF

DB61/T 1250-2019
Общие спецификации для полупроводниковых дискретных устройств из материала Sic (карбид кремния) (Англоязычная версия)

Стандартный №
DB61/T 1250-2019
язык
Китайский, Доступно на английском
Дата публикации
2019
Разместил
Shaanxi Provincial Standard of the People's Republic of China
Последняя версия
DB61/T 1250-2019
сфера применения
Настоящий стандарт распространяется на проектирование, производство и поставку полупроводниковых дискретных устройств на основе SiC.

DB61/T 1250-2019 История

  • 2019 DB61/T 1250-2019 Общие спецификации для полупроводниковых дискретных устройств из материала Sic (карбид кремния)



© 2023. Все права защищены.