GJB 33/9-1989 (Англоязычная версия) Подробные характеристики полупроводниковых дискретных приборов Транзистор кремниевый однопереходный типа ПН ВТ32 - Стандарты и спецификации PDF

GJB 33/9-1989
Подробные характеристики полупроводниковых дискретных приборов Транзистор кремниевый однопереходный типа ПН ВТ32 (Англоязычная версия)

Стандартный №
GJB 33/9-1989
язык
Китайский, Доступно на английском
Дата публикации
1989
Разместил
Military Standard of the People's Republic of China-General Armament Department
Последняя версия
GJB 33/9-1989

GJB 33/9-1989 История

  • 1989 GJB 33/9-1989 Подробные характеристики полупроводниковых дискретных приборов Транзистор кремниевый однопереходный типа ПН ВТ32



© 2023. Все права защищены.