T/IAWBS 003-2017
Определение концентрации носителей заряда в эпитаксиальном слое SiC_Вольт-емкостный метод ртутного зонда (Англоязычная версия)
- Стандартный №
- T/IAWBS 003-2017
- язык
- Китайский, Доступно на английском
- Дата публикации
- 2017
- Разместил
- Group Standards of the People's Republic of China
- Последняя версия
- T/IAWBS 003-2017
- сфера применения
- Настоящий стандарт определяет метод измерения концентрации носителей эпитаксиального слоя карбида кремния (4H-SiC) - ртутно-зондовый вольт-емкостный метод. Настоящий стандарт применим к измерению концентрации носителей однослойного однородного эпитаксиального слоя карбида кремния и требует, чтобы измеренная толщина эпитаксиального слоя карбида кремния была больше, чем ширина обедненного слоя при испытательном смещении. Диапазон измерения концентрации носителей: 1×1014 см-3 ~ 5×1017 см-3. Этот стандарт также может применяться для измерения концентрации носителей на подложках из карбида кремния.
T/IAWBS 003-2017 История
- 2017 T/IAWBS 003-2017 Определение концентрации носителей заряда в эпитаксиальном слое SiC_Вольт-емкостный метод ртутного зонда
