T/CASAS 004.1-2018
Терминология дефектов как в подложках 4H-SiC, так и в эпи слоях. (Англоязычная версия)

Стандартный №

T/CASAS 004.1-2018

язык

Китайский, Доступно на английском

Дата публикации

2018

Разместил

Group Standards of the People's Republic of China

Последняя версия

T/CASAS 004.1-2018

сфера применения

Поскольку дефекты 4H-SiC, особенно эпитаксиальные дефекты 4H-SiC, отличаются или полностью отличаются от других распространенных полупроводниковых дефектов по форме, типу и причине из-за различных режимов эпитаксиального роста, и в настоящее время не существует применимых национальных и отраслевых стандартов, поэтому Этот стандарт специально разработан для стандартизации терминов и определений дефектов 4H-SiC.

T/CASAS 004.1-2018 История

• 2018 T/CASAS 004.1-2018 Терминология дефектов как в подложках 4H-SiC, так и в эпи слоях.