IEEE N42.31-2003 Методики измерения разрешающей способности и эффективности широкозонных полупроводниковых детекторов ионизирующего излучения - Стандарты и спецификации PDF

IEEE N42.31-2003
Методики измерения разрешающей способности и эффективности широкозонных полупроводниковых детекторов ионизирующего излучения

Стандартный №
IEEE N42.31-2003
Дата публикации
2003
Разместил
IEEE - The Institute of Electrical and Electronics Engineers@ Inc.
Последняя версия
IEEE N42.31-2003
сфера применения
Предисловие Установлены стандартные процедуры измерений и испытаний для широкозонных полупроводниковых детекторов, таких как теллурид кадмия (CdTe)@ теллурид кадмия-цинка (CdZnTe)@ и йодид ртути (HgI2), которые можно использовать при комнатной температуре для обнаружения и количественной характеристики гамма-лучи@ рентгеновские лучи@ и заряженные частицы. Приведена стандартная терминология и описание основных особенностей детекторов. В настоящий стандарт включено приложение о мешающем электромагнитном шуме, который является фактором при таких измерениях. Целью настоящего стандарта является установление терминологии и процедур испытаний, которые имеют одинаковое значение как для производителей, так и для пользователей. Не все испытания, описанные в настоящем стандарте, являются обязательными, но те, которые используются для определения рабочих характеристик, должны проводиться в соответствии с описанными здесь процедурами. (Использование слова ??должен?? указывает на обязательное требование@ ??должен?? физическое@, а ??следует?? означает ??рекомендуется.??) Область примененияНастоящий стандарт применяется к широкозонным полупроводниковым детекторам излучения@, таким как как теллурид кадмия (CdTe)@, теллурид кадмия-цинка (CdZnTe@, именуемый здесь как CZT)@ и йодид ртути (HgI2), используемые при обнаружении и измерении ионизирующего излучения при комнатной температуре; гамма-лучи@ рентгеновские лучи@ и заряженные частицы покрыты. Описанные здесь процедуры измерения применимы в первую очередь к детекторным элементам, имеющим плоскую полусферическую или другую геометрию, в которой носители заряда обеих полярностей вносят вклад в выходной сигнал. Если устройства являются неотъемлемой частью системы, пользователь может оказаться не в состоянии проводить испытания только на детекторе. В этом случае испытания детекторного элемента должны быть установлены по взаимному соглашению между изготовителем и пользователем.

IEEE N42.31-2003 История

  • 2003 IEEE N42.31-2003 Методики измерения разрешающей способности и эффективности широкозонных полупроводниковых детекторов ионизирующего излучения



© 2023. Все права защищены.