T/CASAS 004.2-2018
Коллекция металлографов по дефектам как в подложках 4H-SiC, так и в эпиталях (Англоязычная версия)

Стандартный №

T/CASAS 004.2-2018

язык

Китайский, Доступно на английском

Дата публикации

2018

Разместил

Group Standards of the People's Republic of China

Последняя версия

T/CASAS 004.2-2018

сфера применения

Поскольку дефекты 4H-SiC, особенно эпитаксиальные дефекты 4H-SiC, отличаются или полностью отличаются от других распространенных полупроводниковых дефектов по форме, типу и причине из-за различных режимов эпитаксиального роста, и в настоящее время не существует применимых национальных и отраслевых стандартов, поэтому Этот стандарт специально разработан для стандартизации терминов и определений дефектов 4H-SiC. Этот стандарт разработан и выпущен Комитетом по стандартизации Стратегического альянса инноваций в области полупроводниковой промышленности третьего поколения (CASAS), авторские права принадлежат CASA. Без разрешения CASA копирование по желанию запрещено; другие организации принимают стандарт техническое содержание настоящего стандарта для формулирования стандартов с разрешения CASA; любое подразделение или отдельные лица, цитирующие содержание этого стандарта, должны указать номер стандарта этого стандарта.

T/CASAS 004.2-2018 История

• 2018 T/CASAS 004.2-2018 Коллекция металлографов по дефектам как в подложках 4H-SiC, так и в эпиталях