PD IEC TS 63202-4:2022 Фотоэлектрические элементы. Измерение деградации фотоэлектрических элементов из кристаллического кремния, вызванной светом и повышенной температурой. - Стандарты и спецификации PDF

PD IEC TS 63202-4:2022
Фотоэлектрические элементы. Измерение деградации фотоэлектрических элементов из кристаллического кремния, вызванной светом и повышенной температурой.

Стандартный №
PD IEC TS 63202-4:2022
Дата публикации
2022
Разместил
British Standards Institution (BSI)
Последняя версия
PD IEC TS 63202-4:2022
сфера применения
Область применения В данной части стандарта IEC 63202 описаны процедуры измерения деградации, вызванной светом и повышенной температурой (LETID) фотоэлектрических (PV) элементов из кристаллического кремния при моделировании солнечного света. Требования к измерению начальной светоиндуцированной деградации (LID) фотоэлектрических элементов из кристаллического кремния описаны в стандарте IEC 63202-1, в котором оценивается риск деградации LID фотоэлектрических элементов при умеренной температуре и начальной продолжительности в пределах критериев прекращения 20 кВтч·м -2. Энергетическая отдача фотоэлектрических модулей существенно зависит от характеристик LETID используемых в них фотоэлементов. Эта производительность LETID включает в себя LID и другие механизмы деградации. Процедуры, описанные в этом документе, предназначены для оценки поведения деградации фотоэлектрических элементов при повышенной температуре и более длительном световом облучении. Скорость деградации, максимальная степень деградации и возможная регенерация определяются путем сравнения максимальной мощности элемента P max в стандартных условиях испытаний (STC) во время процесса светового облучения с исходным P max . Представлен профиль деградации AP max по отношению к кумулятивному облучению, который помогает производителю ячеек оценить, склонны ли ячейки к LETID, прежде чем собирать их в модули. В отличие от некоторых других стандартов, которые отделяют LID, индуцированный бор-кислородом, от LETID или ограничиваются деградацией, вызванной инжекцией носителей заряда [1] 1, общая деградация под воздействием светового облучения при повышенной температуре включена в процедуры, описанные в этом документе. Общая деградация...

PD IEC TS 63202-4:2022 История

  • 2022 PD IEC TS 63202-4:2022 Фотоэлектрические элементы. Измерение деградации фотоэлектрических элементов из кристаллического кремния, вызванной светом и повышенной температурой.



© 2023. Все права защищены.