ASTM F617-00
Стандартный метод испытаний для измерения линейного порогового напряжения MOSFET (отозван в 2006 г.)

Стандартный №

ASTM F617-00

Дата публикации

2017

Разместил

American Society for Testing and Materials (ASTM)

Последняя версия

ASTM F617-00

сфера применения

1.1 Этот метод испытаний охватывает измерение линейного порогового напряжения МОП-транзистора (см. примечание 1) при очень низкой скорости развертки или в условиях постоянного тока. Это метод проводимости постоянного тока, применимый в линейной области работы МОП-транзистора, где типичное напряжение стока VD составляет примерно 0,1 В. Примечание 1. МОП — это аббревиатура металлооксидного полупроводника; FET — это аббревиатура слова «полевой транзистор». 1.2. Этот метод испытаний применим как к MOSFET-транзисторам в режиме улучшения, так и к режиму обеднения, а также к MOSFET-транзисторам типа «кремний-на-изоляторе» (SOI) и объемному кремнию. Метод испытаний определяет условия положительного напряжения и тока, специально применимые к n-канальным МОП-транзисторам. Замена отрицательного напряжения и отрицательного тока делает метод испытаний непосредственно применимым к p-канальным МОП-транзисторам. 1.3 Значения, указанные в Международной системе единиц (СИ), следует рассматривать как стандартные. Никакие другие единицы измерения в данный метод испытаний не включены. 1.4 Настоящий стандарт не претендует на решение всех проблем безопасности, если таковые имеются, связанных с его использованием. Пользователь настоящего стандарта несет ответственность за установление соответствующих мер безопасности и охраны труда и определение применимости нормативных ограничений перед использованием.

ASTM F617-00 История

• 2017 ASTM F617-00 Стандартный метод испытаний для измерения линейного порогового напряжения MOSFET (отозван в 2006 г.)