T/CASAS 003-2018
Эпитаксиальные пластины 4H-SiC для устройств p-IGBT (Англоязычная версия)

Стандартный №

T/CASAS 003-2018

язык

Китайский, Доступно на английском

Дата публикации

2018

Разместил

Group Standards of the People's Republic of China

Последняя версия

T/CASAS 003-2018

сфера применения

Полупроводниковый материал SiC с его уникальными и превосходными свойствами особенно подходит для изготовления силовых устройств высокого и сверхвысокого напряжения. Большинство силовых устройств SiC высокого/сверхвысокого напряжения выше 10 кВ представляют собой биполярные устройства с вертикальной структурой, такие как SiC PiN-диоды, IGBT и тиристоры GTO. С структурной точки зрения n-канальный IGBT аналогичен структуре устройства n-канального MOSFET, разница в том, что подложка n+-типа в структуре материала n-канального MOSFET должна быть заменена на подложку p+-типа. . Из-за отсутствия на рынке подложек 4H-SiC p+-типа с приемлемым сопротивлением для изготовления материалов n-канальных IGBT-устройств необходимо использовать инвертированную n-канальную структуру IGBT-устройства, а производственный процесс усложняется. По сравнению с n-канальным IGBT, материал устройства p-канального IGBT не только имеет простой производственный процесс, но также может использовать подложку 4H-SiC n+-типа более высокого качества, то есть материал устройства p-канального IGBT изготавливается на основе n+-типа. Подложка 4H-SiC Материал pn-перехода, состоящий из эпитаксиального дрейфового слоя 4H-SiC p+ типа/слоя барьера по напряжению, представляет собой дрейфовый слой p+ типа, который позволяет IGBT-устройствам с p-каналом иметь множество превосходных свойств.

T/CASAS 003-2018 История

• 2018 T/CASAS 003-2018 Эпитаксиальные пластины 4H-SiC для устройств p-IGBT