Настоящий стандарт применим для измерения концентрации носителей в сильнолегированных полупроводниковых объемных материалах, а также для измерения концентрации носителей в эпитаксиальных слоях, скрытых слоях и диффузионных слоях.
SJ 2757-1987 История
1987SJ 2757-1987 Метод измерения инфракрасным отражением концентрации носителей заряда в сильнолегированных полупроводниках