SJ/T 10482-1994
Метод испытаний для определения характеристик глубоких уровней полупроводников методами переходной емкости (Англоязычная версия)

Стандартный №

SJ/T 10482-1994

язык

Китайский, Доступно на английском

Дата публикации

1994

Разместил

Professional Standard - Electron

Последняя версия

SJ/T 10482-1994

сфера применения

Настоящий стандарт определяет метод испытаний для измерения глубоких уровней в полупроводниковых материалах методом переходной спектроскопии глубоких уровней (DLTS) в методе переходной емкости. Этот стандарт применим для измерения глубоких уровней энергии, генерируемых примесями и дефектами полупроводниковых материалов, таких как кремний и арсенид галлия, в запрещенной зоне полупроводников. С помощью этого метода можно получить такие параметры, как энергия активации, концентрация и предэкспоненциальный коэффициент A глубокого энергетического уровня. Этот стандарт применяется к глубоким уровням энергии, связанным с генерацией экспоненциальных емкостных переходных процессов.

SJ/T 10482-1994 История

• 1994 SJ/T 10482-1994 Метод испытаний для определения характеристик глубоких уровней полупроводников методами переходной емкости