BS EN IEC 63202-1:2019
Фотоэлектрические элементы. Измерение вызванной светом деградации фотоэлектрических элементов из кристаллического кремния.

Стандартный №

BS EN IEC 63202-1:2019

Дата публикации

2019

Разместил

British Standards Institution (BSI)

Последняя версия

BS EN IEC 63202-1:2019

сфера применения

Область применения В этой части стандарта IEC 63202 описаны процедуры измерения светоиндуцированной деградации (LID) фотоэлектрических (PV) элементов из кристаллического кремния при искусственном солнечном свете. Величина LID в фотоэлектрическом элементе из кристаллического кремния определяется путем сравнения максимальной выходной мощности в стандартных условиях испытаний (STC) до и после воздействия имитированного солнечного света при заданной температуре и освещенности. Целью этого документа является предоставление стандартизированной информации о крышке фотоэлектрического элемента, чтобы помочь производителям фотоэлектрических модулей свести к минимуму несоответствие между элементами в одном модуле и тем самым максимизировать выходную мощность. По сравнению с измерениями LID фотоэлектрического модуля, описанными в серии стандартов IEC 61215, было обнаружено несколько дополнительных экспериментальных факторов, оказывающих значительное влияние на испытание LID фотоэлектрических элементов, которые не учитывались в IEC 61215-2. В этом документе представлена процедура подготовки и измерения, а также настройки параметров, необходимые для последовательных измерений LID фотоэлектрической ячейки. Величина LID является одним из важных факторов качества клеток. Для ячеек из одного сортировочного бункера наиболее важным фактором является распределение выходной мощности после ЛИД.

BS EN IEC 63202-1:2019 История

• 2019 BS EN IEC 63202-1:2019 Фотоэлектрические элементы. Измерение вызванной светом деградации фотоэлектрических элементов из кристаллического кремния.