T/CASAS 010-2019 ОПРЕДЕЛЕНИЕ концентрации и распределения микропримесей в материалах GaN методом вторичной ионной масс-спектрометрии (Англоязычная версия)
Высокоточная характеристика концентрации микроэлементов-примесей в полупроводниковых материалах и их распределения является важным параметром, влияющим на работоспособность продукции на разных этапах производственной цепочки (таких как подложки, эпитаксия, чипы, устройства). Вторично-ионный масс-спектрометр является наиболее распространенным и наиболее точным оборудованием для определения концентрации и распределения микроэлементов-примесей в материалах. В настоящее время стандарт высокоточного определения концентрации и распределения следовых примесей в полупроводниковых материалах третьего поколения методом вторичной ионной масс-спектрометрии в моей стране является пустым полем. Поэтому формулировка этого стандарта имеет большое значение для оценки характерные параметры и промышленное применение полупроводниковых материалов третьего поколения.сильный положительный эффект.
T/CASAS 010-2019 История
2019T/CASAS 010-2019 ОПРЕДЕЛЕНИЕ концентрации и распределения микропримесей в материалах GaN методом вторичной ионной масс-спектрометрии