ISO 17109:2022 Химический анализ поверхности. Профилирование по глубине. Метод определения скорости распыления в рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии, электронной оже-спектроскопии и масс-спектрометрии вторичных ионов. Глубина распыления p - Стандарты и спецификации PDF

ISO 17109:2022
Химический анализ поверхности. Профилирование по глубине. Метод определения скорости распыления в рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии, электронной оже-спектроскопии и масс-спектрометрии вторичных ионов. Глубина распыления p

Стандартный №
ISO 17109:2022
Дата публикации
2022
Разместил
International Organization for Standardization (ISO)
Последняя версия
ISO 17109:2022
сфера применения
В этом документе описан метод калибровки глубины распыления материала на основе измерения скорости его распыления при заданных условиях распыления с использованием одно- или многослойного эталонного образца со слоями того же материала, что и образец, требующий калибровки по глубине. Типичная точность метода составляет от 5% до 10% для слоев толщиной от 20 до 200 нм при профилировании глубины распыления с использованием AES, XPS и SIMS. Скорость распыления определяется по толщине слоя и времени распыления между соответствующими границами раздела в эталонном образце и используется вместе со временем распыления для определения толщины измеряемого образца. Определенную скорость ионного распыления можно использовать для прогнозирования скорости ионного распыления для широкого спектра других материалов, так что масштабы глубины и время распыления в этих материалах можно оценить с помощью табличных значений выходов распыления и атомных плотностей.

ISO 17109:2022 История

  • 2022 ISO 17109:2022 Химический анализ поверхности. Профилирование по глубине. Метод определения скорости распыления в рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии, электронной оже-спектроскопии и масс-спектрометрии вторичных ионов. Глубина распыления p
  • 2015 ISO 17109:2015 Химический анализ поверхности. Профилирование по глубине. Метод определения скорости распыления в рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии, электронной оже-спектроскопии и масс-спектрометрии вторичных ионов. Профилирование глубины распыления с использованием однослойных и многослойных тонких пленок.



© 2023. Все права защищены.