JEDEC JESD51-1-1995 Метод измерения температуры интегральной схемы — метод электрических испытаний (одиночное полупроводниковое устройство) - Стандарты и спецификации PDF

JEDEC JESD51-1-1995
Метод измерения температуры интегральной схемы — метод электрических испытаний (одиночное полупроводниковое устройство)

Стандартный №
JEDEC JESD51-1-1995
Дата публикации
1995
Разместил
(U.S.) Joint Electron Device Engineering Council Soild State Technology Association
сфера применения
Описанный здесь метод измерения в равной степени применим как к кристаллу для тепловых испытаний, так и к устройствам с активной внутренней цепью. Кристалл для термических испытаний, состоящий из источника тепла и датчика температуры, встроенных в полупроводниковый чип, обычно используется для определения тепловых характеристик корпуса, особенно когда один корпус сравнивается с другим. Устройства на интегральных схемах, работающие в активном режиме, приближенном к предполагаемому применению, используются, когда требуется конкретная информация о технических характеристиках, ориентированная на приложение.



© 2023. Все права защищены.