Эта книга по технологии производства устройств из карбида кремния разделена на семь глав. В первой главе обсуждаются свойства материала SiC@ и, в частности, преимущества SiC, которые в первую очередь вызвали интерес. В эту главу также включены некоторые основные расчеты по блокировке и сопротивлению включения высокого напряжения. В главах 2–6 описаны основные этапы процесса изготовления SiC-устройств. Главы посвящены объемному и эпитаксиальному выращиванию ионов SiC@, имплантации и диффузии, мокрому и сухому травлению, термическому выращиванию и осаждению диэлектриков, а также контактам Шоттки и омическим контактам. Последняя глава@ Глава 7@ посвящена устройствам из SiC@, разделенным на различные категории: высоковольтные устройства@ высокочастотные устройства@ высокотемпературные@ оптические и механические устройства. Автор Карл-Микаэль Зеттерлинг