IPC TM-650 2.5.5.5C-1998 Тест полосковой линии на диэлектрическую проницаемость и тангенс потерь (диэлектрическая проницаемость и коэффициент рассеяния) в X-диапазоне
IPC - Association Connecting Electronics Industries
сфера применения
Краткое описание: Этот метод предназначен для быстрого измерения кажущейся относительной диэлектрической проницаемости полосковой линии (см. 9.1) и тангенса угла потерь в X-диапазоне (от 8,00 до 12,40 ГГц). Измерения проводятся в условиях полосковой линии с использованием карты рисунка резонансного элемента@, которая отделена от плоскостей заземления листами испытуемого материала. Дополнительную информацию об этом методе можно найти в ASTM D3380-75. Определения: Термины, используемые в этом методе, включают: Комплексная относительная диэлектрическая проницаемость Значения относительной диэлектрической проницаемости и коэффициента диэлектрических потерь, рассматриваемые как комплексное число. Диэлектрическая проницаемость Диэлектрическая проницаемость (см. IPC-T-50) или относительная диэлектрическая проницаемость. В этом документе используется символ er. Иногда используются K' или k'. Относительная диэлектрическая проницаемость Безразмерное отношение абсолютной диэлектрической проницаемости диэлектрика к абсолютной диэлектрической проницаемости вакуума. Тангенс потерь Коэффициент диэлектрических потерь (см. IPC-T-50) @ тангенс диэлектрических потерь. В этом документе используется символ tan d (см. 9.2). Ограничения Следует отметить следующие ограничения метода. Пользователей предостерегают от предположения, что метод дает значения диэлектрической проницаемости и тангенса угла потерь, которые напрямую соответствуют приложениям. Ценность метода заключается в обеспечении единообразия продукта, а значит, и воспроизводимости результатов на изготовленных платах. Измеренная эффективная диэлектрическая проницаемость резонаторного элемента может отличаться от наблюдаемой в приложении. Если приложение представляет собой полосковую линию и расстояние между линией и плоскостью заземления меньше, чем у резонаторного элемента в тесте@, приложение будет демонстрировать большую составляющую электрического поля в плоскости X@Y. Гетерогенные диэлектрические композиты в некоторой степени анизотропны, что приводит к более высокой наблюдаемой эр для более узких линий. Микрополосковые линии в приложении также могут отличаться от тестовых по доле составляющей электрического поля подложки в плоскости X@Y. В сборках склеенных полосовых линий между досками исключен воздух, поэтому они имеют тенденцию показывать более высокие значения er. Высокая степень анизотропии некоторых композитов может привести к увеличению степени связи резонансного элемента, что приведет к ложно более низкому значению добротности. Если коррекция не применяется математически, как указано в 7.2.2, или путем отклонения от зазоров пробников, указанных для тестовой схемы, произойдет смещение вверх рассчитанного тангенса потерь. Чувствительность метода к различиям в er образцов ухудшается тем, что карта диаграммы направленности резонатора остается в составе приспособления и в то же время составляет значительную часть диэлектрика, участвующего в измерениях. Этот метод не позволяет использовать стабильные образцы с известными электрическими свойствами, подтвержденные Национальным институтом стандартов и технологий (NIST).